【摘要】三星電子近日宣布,三星先進技術(shù)研究所(SAIT)與韓國成均館大學(xué)合作開發(fā)出一種新合成方法,可大面積制備應(yīng)用于半導(dǎo)體的晶圓級單晶石墨烯。
三星電子近日宣布,三星先進技術(shù)研究所(SAIT)與韓國成均館大學(xué)合作開發(fā)出一種新合成方法,可大面積制備應(yīng)用于半導(dǎo)體的晶圓級單晶石墨烯。應(yīng)用該方法制備的半導(dǎo)體單晶,具有優(yōu)異的電性能和機械性能。該研究負責人說,“我們預(yù)計這一發(fā)現(xiàn)將加速石墨烯的商業(yè)化,并可能開創(chuàng)消費電子技術(shù)的新時代。”
石墨烯具有比硅(現(xiàn)今在半導(dǎo)體中最廣泛使用的材料)高百倍以上的電子遷移率,比鋼更耐用,并具有高的熱傳導(dǎo)性以及靈活性,這使得它成為柔性顯示器、可穿戴設(shè)備等下一代電子設(shè)備的理想材料。
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