在晶圓制造中占25%的比重
沉積是半導(dǎo)體制造工藝中的一個(gè)非常重要的技術(shù),其是一連串涉及原子的吸附、吸附原子在表面擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié),以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過(guò)程。在一個(gè)新晶圓投資建設(shè)中,晶圓廠80%的投資用于購(gòu)買(mǎi)設(shè)備。其中,薄膜沉積設(shè)備是晶圓制造的核心步驟之一,占據(jù)著約25%的比重。
薄膜沉積工藝主要有原子層沉積(ALD)、物理式真空鍍膜(PVD)、化學(xué)式真空鍍膜(CVD)等,其中ALD又是屬于CVD的一種,是目前最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。CVD,即使用金屬鹵化物、有機(jī)金屬、碳?xì)浠衔锏葻岱纸猓瑲溥€原在高溫下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以析出金屬、氧化物、碳化物等材料;PVD是將原子從原料靶材上濺射出來(lái),利用物理過(guò)程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移,沉積形成導(dǎo)電電路。
全球市場(chǎng)規(guī)模至2025年有望達(dá)到340億美元
近年來(lái),全球薄膜沉積設(shè)備持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展,根據(jù)Maximize Market Research數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),全球半導(dǎo)體薄膜沉積市場(chǎng)2017年市場(chǎng)空間約為125億美元,預(yù)計(jì)到2025年將達(dá)到340億美元,期間以年復(fù)合13.3%的速度增長(zhǎng)。其中市場(chǎng)將以存儲(chǔ)、AMOLED顯示屏以及太陽(yáng)能電站等新興應(yīng)用需求的增加為驅(qū)動(dòng)薄膜沉積市場(chǎng)增長(zhǎng)的核心動(dòng)力。
CVD占主導(dǎo)地位
從半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備主要類(lèi)型來(lái)看,CVD設(shè)備占據(jù)著57%的薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng),領(lǐng)先于其他類(lèi)型設(shè)備;其次是PVD,占比為25%;ALD及其他鍍膜設(shè)備占據(jù)著18%的市場(chǎng)份額。
國(guó)際巨頭占領(lǐng)細(xì)分市場(chǎng)
從各細(xì)分市場(chǎng)來(lái)看,在CVD設(shè)備市場(chǎng)中,應(yīng)用材料全球占比約30%,加上泛林半導(dǎo)體的21%和TEL的19%,三大廠商占據(jù)了全球70%的市場(chǎng)份額;在ALD設(shè)備市場(chǎng)中,ALD設(shè)備龍頭TEL和ASM分別占據(jù)了31%和29%的市場(chǎng)份額,剩下40%的份額由其他廠商占據(jù);在PVD設(shè)備市場(chǎng)中,應(yīng)用材料則基本壟斷了PVD市場(chǎng),占85%的比重,處于絕對(duì)龍頭地位。
國(guó)產(chǎn)化率僅為2%
從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)看,中國(guó)薄膜沉積設(shè)備龍頭有北方華創(chuàng)和沈陽(yáng)拓荊。其中,北方華創(chuàng)產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋CVD、PVD和ALD三類(lèi);沈陽(yáng)拓荊主攻CVD和ALD,目前技術(shù)儲(chǔ)備均達(dá)到28/14nm節(jié)點(diǎn)。但從國(guó)內(nèi)設(shè)備存量市場(chǎng)來(lái)看,我國(guó)薄膜沉積設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率僅為2%,98%的設(shè)備來(lái)源于進(jìn)口。
為加速薄膜沉積設(shè)備國(guó)產(chǎn)化腳步,近年來(lái)北方華創(chuàng)和沈陽(yáng)拓荊兩家公司不斷加大研發(fā)力度,也分別在技術(shù)儲(chǔ)備以及客戶(hù)認(rèn)證方面取得了良好進(jìn)展。2020年4月7日,北方華創(chuàng)宣布,其THEORISSN302D型12英寸氮化硅沉積設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)集成電路制造龍頭企業(yè)。該設(shè)備的交付,意味著國(guó)產(chǎn)立式LPCVD設(shè)備在先進(jìn)集成電路制造領(lǐng)域的應(yīng)用拓展上實(shí)現(xiàn)重大進(jìn)展。