中國(guó)半導(dǎo)體業(yè),大體呈現(xiàn)先抑后揚(yáng)的局面

作者: 2019年07月24日 來源:全球化工設(shè)備網(wǎng) 瀏覽量:
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美中或是日韓貿(mào)易戰(zhàn),均以科技領(lǐng)域?yàn)橹鲬?zhàn)場(chǎng),都涉及到半導(dǎo)體層級(jí),反映半導(dǎo)體是科技競(jìng)賽的主戰(zhàn)場(chǎng)。半導(dǎo)體是現(xiàn)代資訊產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心產(chǎn)業(yè)之一,為衡量一個(gè)國(guó)家科技發(fā)展水準(zhǔn)乃至綜合國(guó)力的重要指標(biāo)。  更重要的是,

  美中或是日韓貿(mào)易戰(zhàn),均以科技領(lǐng)域?yàn)橹鲬?zhàn)場(chǎng),都涉及到半導(dǎo)體層級(jí),反映半導(dǎo)體是科技競(jìng)賽的主戰(zhàn)場(chǎng)。半導(dǎo)體是現(xiàn)代資訊產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心產(chǎn)業(yè)之一,為衡量一個(gè)國(guó)家科技發(fā)展水準(zhǔn)乃至綜合國(guó)力的重要指標(biāo)。

  更重要的是,美中或是日韓貿(mào)易戰(zhàn)將使全球化垂直分工所基于的商業(yè)信任和自由貿(mào)易規(guī)則遭到破壞,未來各國(guó)恐更加重視供應(yīng)安全與自主可控,是否造成資源浪費(fèi)、研發(fā)和投資效率低落等問題,值得深思。

  即便是全球半導(dǎo)體供應(yīng)國(guó)之首的美國(guó),占有國(guó)際附加價(jià)值、技術(shù)含量*高的環(huán)節(jié),但因中國(guó)業(yè)務(wù)占美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者比重均在3成之上,更遑論部分美系半導(dǎo)體大廠的中國(guó)合計(jì)客戶占比高達(dá)5成以上,故在美中貿(mào)易戰(zhàn)之下,美系半導(dǎo)體廠業(yè)績(jī)也相對(duì)受損。

  同樣地,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)近年來雖高速成長(zhǎng),但部分環(huán)節(jié)發(fā)展仍未突破瓶頸,且有產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋不完整的情況,自然在美中貿(mào)易戰(zhàn)遭到美方以關(guān)稅、非關(guān)稅貿(mào)易障礙的方式,襲擊關(guān)鍵核心晶片的供應(yīng)。有鑒于此,預(yù)料中國(guó)將持續(xù)以半導(dǎo)體扶植政策、集成電路第2期大基金的投入、內(nèi)外部人力資源的積累、由科創(chuàng)板來實(shí)現(xiàn)資本市場(chǎng)和科技創(chuàng)新更加深度的融合,來加速推動(dòng)中國(guó)本身半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代的方向,期望在未來新興科技所帶動(dòng)的新產(chǎn)品、貿(mào)易戰(zhàn)下帶來的新分工模式基礎(chǔ)上,使中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)入技術(shù)能力提升、創(chuàng)新活力增加、產(chǎn)品多元化的結(jié)構(gòu)改革階段。

  今年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的景氣表現(xiàn),大體呈現(xiàn)先抑后揚(yáng)的局面,主要是盡管美中貿(mào)易談判未來仍是存有變數(shù),但至少短期內(nèi)5至6月美國(guó)對(duì)于華為的嚴(yán)格禁制令在第3季初已有所松綁,使得下半年華為對(duì)于供應(yīng)鏈的下單力道加大。同時(shí)華為生態(tài)鏈的重塑也有利于中國(guó)本土的半導(dǎo)體廠商,顯然美中貿(mào)易戰(zhàn)加速核心環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈崛起的速度,且半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的庫存水位持續(xù)下降,再加上5G無線通訊、AI、 IOT、穿戴式裝置/AR/VR、車用電子、高效能運(yùn)算/資料中心、工業(yè)4.0/智慧制造等商機(jī)也將逐步發(fā)酵所致。

  若以2019年中國(guó)晶圓代工的發(fā)展主軸來看,依舊以先進(jìn)制程的追趕與突破、特殊制程的差異化競(jìng)爭(zhēng)為主,后者應(yīng)用的產(chǎn)品包括DRAM,模擬IC,光學(xué)器件,感測(cè)器,分立器件等。其中2019年中芯國(guó)際公司專注推進(jìn)FinFET技術(shù),上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成,進(jìn)入產(chǎn)能布建,公司更規(guī)劃2019年下半年實(shí)現(xiàn)14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃,同時(shí)12納米制程開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,顯然中芯國(guó)際欲利用臺(tái)積電南京廠產(chǎn)能利用率下降,正研議放緩增建產(chǎn)能腳步之際,而縮短與臺(tái)積電中國(guó)布局的差距,不過隨著臺(tái)積電在臺(tái)灣廠的先進(jìn)制程陸續(xù)步入7納米強(qiáng)化版、6納米制程、5納米制程之下,中芯國(guó)際仍是處于追趕的階段。

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標(biāo)簽:中國(guó) 半導(dǎo)體 成電路

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