英國劍橋大學成功開發(fā)超薄量子發(fā)光二級管

　　英國劍橋大學研究人員近日成功開發(fā)出僅幾個原子厚層狀材料的超薄量子發(fā)光二極管（LED）。由于具有不同超薄材料組成的構造層，原件可以用于開發(fā)新的計算與感應技術。

　　具備僅用電流生產(chǎn)單光子的能力是建設緊湊型芯片量子網(wǎng)絡的重要環(huán)節(jié)，基于量子力學原理開發(fā)的計算機比現(xiàn)有技術更加強大和安全。為了實現(xiàn)這種元件的可能性，研究人員需要開發(fā)出一種可靠方法，由電流生成單個的、難以分辨的光子，作為通過量子網(wǎng)絡的信息載體。

　　該元件由不同材料的薄層疊在一起構成，材料包括石墨烯、氮化硼以及過渡金屬硫化物（TMDs）。TMD層包含有嚴格限制的電子和電子空位或孔隙區(qū)域。當一個電子充填到比電子能量較低的空位時，能量差異釋放光子，即一個光粒子。在發(fā)光二極管元件中，一個電壓推動電子通過該元件，也就是他們充電空隙發(fā)射單光子的地方。

　　劍橋大學研究人員開發(fā)的超薄平臺提供了高水平的可調諧性、自由設計以及綜合集成能力。單個光子的產(chǎn)生常常需要大規(guī)模的、幾個激光器和光學元件的精確對準的光學裝置。這一在芯片上即可釋放單光子的全新研究成果使得量子通訊距現(xiàn)實應用更近了一步。