6英寸碳化硅單晶襯底研制成功[組圖]

作者： 2014年12月22日 來源： 瀏覽量：
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近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。 據(jù)悉，碳化硅屬于第三代半導

 

    近日，中國科學院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國家實驗室（籌）先進材料與結構分析實驗室團隊人員與北京天科合達藍光半導體有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）單晶襯底。

    據(jù)悉，碳化硅屬于第三代半導體材料，是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件的理想襯底。

    上圖 科研人員在測量6英寸碳化硅單晶襯底的尺寸（12月9日攝）。

    下圖 中國科學院物理研究所陳小龍研究員在一幅演示碳化硅物理原理的圖表前展示6英寸碳化硅單晶襯底（12月17日攝）。

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